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UMG9NTR中文资料

UMG9NTR图片

UMG9NTR外观图

  • 大小:67.2KB
  • 厂家:Rohm
  • 描述: TRANSISTOR DUAL UM5 NPN/NPN; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:30; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-353; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Package / Case:SOT-353; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose; Current Ic Continuous a Max:100mA; Hfe Min:30; Power Dissipation Pd:150mW
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧):10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):500nA
  • 频率 - 转换:250MHz
  • 功率 - 最大:150mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353
  • 供应商设备封装:UMT5
  • 包装:带卷 (TR)

UMG9NTR供应商

更新时间:2023-03-07 14:29:58
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